三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。不过，三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度，希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。三星在产能全开的情况下，NAND Flash闪存的生产线单季度晶圆投片量可超过200万片。

三星电子宣布，已开发出业界首款支持高达10.7Gbps的LPDDR5X DRAM内存。三星表示，这款10.7Gbps LPDDR5X内存基于12nm级工艺技术，相较上代产品性能提高25%以上，容量提高30%以上。同时该内存将移动DRAM的单封装容量扩充至32GB，满足端侧AI应用对高性能大容量内存的需求。

半导体市况正在复苏，大厂铠侠计划重新启动IPO进程，预计最快今年内在东京证券交易所上市。受人工智能普及和存储器需求持续增加的推动，铠侠打算通过市场融资并积极进行投资。

Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)宣布收购 Neuronix AI Labs，以进一步增强在现场可编程门阵列(FPGA)上部署高能效人工智能边缘解决方案的能力。Neuronix人工智能实验室提供神经网络稀疏性优化技术，可在保持高精度的同时，降低图像分类、目标检测和语义分割等任务的功耗、尺寸和计算量。

近日，美国芯片设计公司AMD推出了锐龙PRO 8040/8000系列AI处理器芯片，用于驱动AI PC，试图在与英伟达和英特尔的竞争中取得领先地位。

近期，存储芯片制造商最近一直坚持提价，但模组制造商却拒绝购买，不愿接受提价。知情人士透露，企业存储和云数据中心领域的需求一直保持强劲，但消费市场的客户难以承受价格的大幅上涨。

在欧盟企业用户和一个行业组织接连投诉后，欧盟反垄断监管机构要求美国芯片制造商博通公司（Broadcom）修改新收购的云计算公司 VMware 的许可条件。盟竞争执法机构表示，它已向博通公司发出信息请求，以调查这一问题。

近日，美国政府宣布将向三星电子提供至多价值 64 亿美元（当前约合 464.64 亿元人民币）的补贴，而三星电子将在得克萨斯州投资超过 400 亿美元，建设包括 2nm 晶圆厂在内的一系列半导体项目。

英飞凌科技股份公司推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。

随着全球第三大NAND闪存公司西数称，涨价涉及各条HDD、SSD产品线，有些已经立即生效，而且会随时根据实际情况继续调整价格。三星电子和SK海力士的NAND业务预计将在2024年第一季度实现盈利。