光电元件知识:普通发光二极管和激光二极管的区别

    半导体器件是构成电子电路的基本元件，它们所用的材料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料。下面详细介绍普通发光二极管和激光二极管的区别，主要包括发光原理上的区别，在工作原理、架构与效能上的区别等，全面了解下普通发光二极管和激光二极管的不同之处。

    普通发光二极管和激光二极管的区别

    1、发光原理上的区别

    LED利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。

    LED是LightEmittingDiode（发光二极管）的缩写，LED应用广泛，比如家用电器的指示灯，汽车后防雾灯等。

    LED的最显着特点是使用寿命长，光电转换效能高。其原下上在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。

    LD是激光二极管的英文缩写，激光二极管的物理架构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。

    在正向偏置的情况下，LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用，从而进一步激励从结上发射出单波长的光，这种光的物理性质与材料有关。

    半导体雷射二极管的工作原理，理论上与气体雷射器相同。激光二极管在电脑上的CD光驱，激光印表机中的列印头等小功率光电装置中得到了广泛的应用。

    2、在工作原理、架构与效能上的区别

    （1）工作原理：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。

    （2）架构：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。

    （3）效能：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。

    以上就是《光电元件科普:普通发光二极管和激光二极管的区别》的全部内容了，半导体二极管在电路中的使用能够起到保护电路,延长电路寿命等作用。半导体二极管的发展,使得集成电路更加优化,在各个领域都起到了积极的作用。