意法半导体ST和MACOM宣布成功生产RF GaN-on-Silicon原型

意法半导体和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司宣布，射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型芯片制造成功。基于这一成果，意法半导体和MACOM将继续携手，深化合作。这一消息意义重大，因为它代表了该领域的主要参与者齐心协力开发 GaN-on-Si 技术并取得成功。通过这一点，该行业更接近于获得 GaN 的性能优势，同时实现 Si 的规模经济。

据估计，意法半导体制造的原型晶圆和器件已经实现了成本和性能目标，这将使它们能够有效地与市场上现有的 LDMOS 和 GaN-on-SiC 技术竞争。这些原型现在正转向鉴定和工业化。意法半导体的目标是在 2022 年实现这些里程碑。随着这一进展，意法半导体和 MACOM 已经开始讨论进一步扩大他们的努力，以加快向市场交付 RF GaN-on-Si 产品的速度。

“该技术现已达到性能水平和工艺成熟度，可以有效地挑战现有的 LDMOS 和 GaN-on-SiC，我们可以为包括无线基础设施在内的大批量应用提供有吸引力的成本和供应链优势，”STMicroelectronics 功率晶体管子集团总经理兼执行副总裁Edoardo Merli 相信,。“将 RF GaN-on-silicon 产品商业化是我们与 MACOM 合作的下一个重要里程碑，随着不断的进步，我们期待着充分发挥这项激动人心的技术的潜力，”他补充道。

MACOM 总裁兼首席执行官 Stephen G. Daly 评论说：“我们一起继续在将 GaN-on-Si 技术推向商业化和大批量生产方面取得良好进展。” “我们与意法半导体的合作是我们射频功率战略的重要组成部分，我相信我们可以在硅基氮化镓技术满足技术要求的目标应用中赢得市场份额。”