简介

GaN Systems GS66508B-EVBDB1子板是一种GaN E-HEMT载体板，设计用于GS665MB-EVB 650V通用主板。GS66508B-EVBDB1子板包括两个GaN系统GS66508T 650V GaN增强模式HEMT（E-HEMT）和所有必要的电路，包括模拟设备公司ADuM4121高压隔离栅驱动器和可选散热器。开发人员可以轻松评估GS66508B增强型GaN晶体管在任何半桥拓扑中的性能，无论是使用GS665MB EVB通用主板还是用户自己的系统设计。

特征

作为参考设计和评估工具以及部署就绪解决方案，便于系统内评估

垂直安装式，高度为35mm，适用于大多数1U设计，允许评估传统通孔式电源板中的GaN E-HEMT

应用电路

电路板布局