三菱电机与安世合作开发SiC功率半导体

近日，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。三菱电机将研发、供应SiC-MOSFET芯片给Nexperia，而Nexperia将研发搭载三菱电机芯片的SiC分离式组件（Discrete）。

安世半导体双极性分立器件业务部资深副总裁兼总经理Mark Roeloffzen表示：“与三菱电机建立共赢的战略合作伙伴关系，标志着Nexperia在碳化硅技术领域取得了重大进展。与Nexperia的分立产品和封装技术的高质量标准和专业知识相辅相成，必将在两家公司之间产生积极的协同效应，最终帮助客户在其服务的工业、汽车以及消费市场提供高能效产品。”

三菱电机半导体与器件部执行官兼集团总裁Masayoshi Takemi博士表示：“Nexperia是业界领军企业，在高品质分立半导体领域拥有成熟的技术。我们很高兴与其达成联手开发合作协议，从而充分利用两家公司的半导体技术。”

公开消息显示，安世半导体总部位于荷兰，目前是中国闻泰科技的子公司。11月初，安世半导体被迫转手出售其于2021年收购的英国NWF晶圆厂。

三菱电机指出，EV普及、有望带动SiC功率半导体需求急速扩大。