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美光存储器迎来新进展

发布时间:2024-05-20 14:54:00 阅读量:417

研调机构TrendForce集邦咨询于17日举办了AI服务器论坛。据美光透露,他们已经长时间准备了DDR5技术,并且HBM的产能在2025年之前已经达到了满载。美光在各种存储器产品方面有多种布局,并为AI数据中心提供了强大的支持。

美光在全球布局超过54,000项专利,存储器和存储技术领先业界,目前已经酝酿很久DDR5,下一代会做到1γ制程,采用EUV制程技术,计划2025年率先在中国台湾量产。

美光存储器迎来新进展

美光表示,公司拥有广泛的产品群组、长周期生命产品,以及完整的系统规划。随着AI改变数据中心生态,读取方式已经不同,必须跟着AI神经网路模式运作,因此深度学习的读写比率已经到5000:1,意味着读取速度远超过写入速度,因此选择合适的储存设备相当重要。

对此,美光也进行服务器架构优化,当GPU服务器和SSD以1:1方式进行训练,效能会做到最好。另外,随着AI时代来临,在AI效能和成本间的平衡也越发重要,美光推出能最佳化现有系统并延长设备寿命的DDR4,速度高达3,200MT/s。在多核心CPU架构下,美光DDR5以6,400MT/s速度,使频宽增至DDR4的2倍、深度学习效能为DDR4的5倍、AI性能提升7倍,支持AI、HPC和企业负载。

NAND部分,美光目前推出232层NAND,以稳定在产品上应用为主,并同步发展HBM3e甚至HBM4。美光表示,CXL也是未来相当重要的发展方向,目前推出的CZ120为存储器扩充模组,可提供更多容量、频宽和灵活配置,是较为前端的应用,目前样品已经分享给合作伙伴。

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