SiT8008
可编程制程，任意参数自由组合
· 1MHz-110MHz任意频率，可精确到小数点后6位
· ±20ppm ~ ±50ppm全温范围频率稳定性
· 1.8 - 3.3V任意工作电压自动适配
· 行业标准通用尺寸，完全兼容替代石英晶振
多种脚位定义，多种低功耗模式选择
· 1.2 µA（典型值）休眠电流（1.8 V）
· 3.6mA（典型值）工作电流（1.8 V）
· 在便携式应用中能够延长电池寿命
· 减少系统的功耗
SiT9121
差分晶振具有0.6 ps（典型值）集成RMS相位抖动（12 KHz至20 MHz）
· 严格的应用程序中(如SONET)提供出色的抖动保证
差分晶振具有出色的频率稳定性，低至±10 ppm
· 更好的定时余量，增强系统稳定性和鲁棒性
· 广泛的可编程性、频率稳定性±10 ~ ±50 ppm
· 1MHz-220MHz之间任意频率，可精确到小数点后6位
· LVPECL和LVDS输出信号类型、供应电压为2.5 - 3.3 V
· 可以根据系统最佳性能定制规格
SiT9366
低抖动差分晶振在实际运行条件下具有出色的动态性能
· 0.23 ps抖动（典型值）、±10 ppm
· 在恶劣环境中具有更好的系统性能
低抖动差分晶振振动灵敏度提高20倍
· 最大程度减少高振动环境中的数据包丢失
具有0.05 ps / mV的电源噪声抑（PSNR）
· 简化电源设计
· 3.2mm x 2.5mm封装尺寸、实现具有严格抖动要求的小型系统
SiT1552
具有芯片级封装尺寸（CSP）
· 1.5mm x 0.8mm：极大的节省了电路板空间
具有纳米级功率：990 nA（典型值）
· 延长电池寿命
在整个温度范围内具有±5 ppm的频率稳定性
· 改进了本地计时并提高了系统功能，从而减少了 对移动和可穿戴设备的网络计时更新的依赖
NanoDrive™减摆振荡器输出、VDD电源过滤
· 可编程输出摆动最小化功率
· 消除了外部VDD旁路电容器，以保持超小的占用面积
SiT1533
具有小型SMD封装尺寸：2.0mm x 1.2mm
· 功能引脚兼容2012 XTAL SMD
具有纳米级功率：900 nA（典型值）
· 延长电池寿命
工作电压低至1.2V
· 支持币形电池或超级电容备用电池
NanoDrive™减摆振荡器输出
· 直接连接到XTAL IN引脚（振荡器输入）
· 可编程摆动最大限度地降低功率
· 振荡器输出对负载不敏感，可使用或不用负载电容器
SiT5156
高精度压控温补晶振在气流、快速温度斜坡下具有出色的动态稳定性
· 高精度±0.5ppm频率稳定性、3e-11平均10秒的ADEV
· ±15 ppb/°C频率斜率（ΔF/ΔT）：在任何操作条 件下实现最快的卫星锁定
高精度压控温补晶振振动时相位噪声提高20倍
· 最大限度地减少高振动环境中的卫星锁定损失
高精度压控温补晶振无活动下降或微跳
· 无需进行昂贵的筛选或老化试验
具有0.2 ps/mV电源噪声抑制（PSNR）
· 通过消除TCXO的专用LDO来减少BOM