什么是场效应晶体管?场效应晶体管的几点选择技巧

场效应晶体管（FET）是一种类型的晶体管，使用一个电场来控制的流动电流在半导体。场效应晶体管是具有三个端子的器件：源极、栅极和漏极。FET通过向栅极施加电压来控制电流的流动，从而改变漏极和源极之间的电导率。场效应晶体管也称为单极晶体管，因为它们涉及单载流子类型的操作。也就是说，场效应晶体管在其操作中使用电子或空穴作为电荷载流子，但不能同时使用两者存在许多不同类型的场效应晶体管。场效应晶体管通常在低频时显示出非常高的输入阻抗。使用最广泛的场效应晶体管是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。场效应晶体管的选择，有可能直接影响到整个电路的效率和成本，下面为电子工程师快速准确的选择场效应晶体管，分享以下6个选型技巧。

场效应晶体管选型技巧:

1、沟道类型

选择好场效应晶体管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道场效应晶体管。在典型的功率应用中，当一个场效应晶体管接地，而负载连接到干线电压上时，该场效应晶体管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道场效应晶体管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当场效应晶体管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道场效应晶体管，这也是出于对电压驱动的考虑。

2、额定电压

确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使场效应晶体管不会失效。

就选择场效应晶体管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道场效应晶体管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。

3、额定电流

该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的场效应晶体管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，场效应晶体管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

4、导通损耗

在实际情况下，场效应晶体管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。场效应晶体管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对场效应晶体管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

5、系统散热

须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在场效应晶体管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板及其场效应晶体管的散热。

雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。

6、开关性能

影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。场效应晶体管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。场效应晶体管开关的总功率可用如下方程表达：Psw=（Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

本文只能带领大家对场效应晶体管的选择有了初步的了解，希望对大家会有一定的帮助，同时需要不断总结，这样才能提高专业技能，也欢迎大家来讨论文章的一些知识点。