首次采用GAA技术 台积电2nm芯片将于2025年投产

在实现3nm工艺上的突破后，台积电似乎对2nm工艺变得更加有信心。台积电在4月14日第一季度的电话会议上表示，正全力以赴地开发下一代芯片制造工艺。目前这个半导体巨头计划在下半年量产3nm工艺芯片。其2nm工艺芯片最早将会在2025年投产。

在这次电话会议上，台积电CEO魏哲家回应了大家两个问题。一是关于台积电应对通货膨胀与整个经济形势的问题。魏哲家回答说，台积电作为全球领先的代工企业，有能力应对市场波动。

二是有关台积电2nm工艺节点的时间表问题，魏哲家表示，其公司的2nm工艺正在研发中，有信心在2nm工艺依旧保持技术领先地位，该工艺将会在2024年开始预生产，与于2025年正式投产。

据悉，台积电将会在2nm工艺上采用GAA FET(全环绕栅极晶体管)，取代finFET (鳍式场效应晶体管)。目前三星为了和台积电竞争，做法比较激进，将会在3nm工艺就用上GAA技术。而台积电为了提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本，保守的选择finFET技术生产3nm工艺芯片。

台积电预测，HPC(高性能计算)将会是其今年增长最快的领域。上一季度HPC占其收入的41%，仅比智能手机产生的40%略高。物联网和汽车分别以了8%和5%的收入占比，排在第三和第四位。

随着晶体管变得越来越细小，台积电采用新工艺技术上的速度也变慢了，以往大概每两年就会进入一个新的制程节点，现在则要等更长的时间。N2制程节点的时间表一直都不太确定，台积电在2020年首次确认了该项工艺的研发，根据过往信息，2022年初开始建设配套的晶圆厂，预计2023年中期完成建筑框架，2024年下半年安装生产设备。