ST意法半导体和Soitec公司将在碳化硅衬底技术达成合作

据报道，意法半导体和Soitec宣布下一阶段的碳化硅（SiC）衬底合作，意法半导体计划在未来18个月内对Soitec的SiC衬底技术进行认证。此次合作的目标是意法半导体在未来的8英寸衬底制造中采用Soitec的SmartSiC™技术，为其器件和模块制造业务提供动力，预计将在中期量产。

意法半导体汽车和分立器件产品部总裁 Marco Monti 表示：“汽车和工业市场正在加快推进系统和产品电气化进程，碳化硅晶圆升级到 200mm 将会给我们的汽车和工业客户带来巨大好处。随着产量扩大，提升规模经济效益是很重要的。作为一家半导体垂直整合制造商（IDM），我们可以在整个制造链中最大化地发挥独特的技术优势，覆盖从高质量衬底到大规模的前端和后端生产等环节。提高生产的良率和质量正是我们与 Soitec 开展技术合作的目的。”

Soitec 首席运营官安世鹏（Bernard Aspar）表示：“电动汽车正在颠覆汽车行业的发展。通过将我们专利的 SmartCut™ 工艺与碳化硅半导体相结合，SmartSiC™ 技术将加速碳化硅在电动车市场的应用。Soitec 的 SmartSiC™ 优化衬底与意法半导体行业领先的碳化硅技术、专业知识相结合，将推动汽车芯片制造领域的重大变革，并树立新的行业标准。”

碳化硅是一种颠覆性的化合物半导体材料，拥有优于传统硅的特性，面向电动汽车和工业流程等领域的关键、高增长的功率应用，能够提供卓越的性能和能效。它可以实现更高效的电能转换、更轻量紧凑的设计，并节约整体系统设计成本，助力汽车和工业系统的成功。

从 150mm 晶圆发展到 200mm 晶圆，用于制造集成电路的可用面积几乎翻倍，而每片晶圆可提供比原先多 1.8 至 1.9 倍数量的有效芯片，这将促使产能得到大幅提升。

SmartSiC™ 是 Soitec 的专利技术。通过使用 Soitec 专利的 SmartCut™ 技术，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而大幅降低生产的总能耗。

关于意法半导体

意法半导体（STMicroelectronics）拥有48,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家独立的半导体设备制造商，意法半导体与二十多万家客户、数千名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，电力和能源管理更高效，物联网和5G技术应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和。

关于Soitec

法国 Soitec 半导体公司是设计和生产创新性半导体材料的全球领先企业，以其独特的技术和半导体领域的专长服务于电子和能源市场。Soitec在全球拥有约3,500项专利，在不断创新的基础上满足客户对高性能、低能耗以及低成本的需求。Soitec 在欧洲、美国和亚洲设有制造工厂、研发中心和办事处。Soitec 全力致力于可持续发展，于 2021 年将可持续发展纳入企业宗旨：“我们提供科技创新的土壤，赋能电子设备的智能和节能，缔造可持续的美好生活。”

Soitec、SmartSiC™ 和 SmartCut™ 是 Soitec 的注册商标。