良率大幅提升 三星第三代4nm芯片或于今年上半年量产

据外媒报道，三星将从2023年上半年开始大规模量产第三代4nm芯片，以夺回部分失去的客户。报道指出，三星电子4纳米在发展之初良率不稳，如今在性能、功耗及面积上较最初的工艺均有进步。

据三星电子12日发布的业务报告，三星电子将在今年上半年开始量产4纳米2.3代制芯晶片，这是三星首度明确提到4纳米后续版本的量产时间。

与 4 纳米芯片的早期版本 SF4E 相比，第二代和第三代产品表现出了更好的性能，而且还带来了更低的功耗和更小的面积。不过，三星电子在 SF4E 芯片实现商用之后在芯片产量的管理上也遇到了一系列难题，最终因为能耗表现不佳再加上产能限制将大客户高通拱手让给了台积电。

业内人士估计，三星电子目前 4 纳米工艺良率可达到 60%，而台积电同类型良率可达到 70~80%。专家们认为，三星电子良品率正在迅速提高，后续产品的量产也在加快。

随着三星电子在先进工艺上不断突破，在性能提高的前提下保证产能，预计可在 5nm 级以上的工艺量产方面与台积电进一步进行竞争。