美光推出8层堆叠24GB容量第二代HBM3内存 性能提高2.5倍

近日，美光科技宣布已开始送样其首款8-high 24GB HBM3 Gen2内存产品，带宽大于1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比目前推出的HBM3解决方案提高50%，其每瓦性能比前几代产品提高了2.5倍。

据介绍，美光科技HBM解决方案采用1β(1-beta)DRAM工艺节点，该节点允许将24Gb DRAM芯片组装到行业标准封装尺寸内的8-high立方体中。此外，美光12层堆叠的36GB 容量产品也将于2024年第一季度开始出样。与现有的竞争解决方案相比，美光科技在给定堆栈高度下提供的容量增加了50%。美光第二代HBM3产品的性能功耗比和引脚速度的提升对于管理当今AI数据中心的极端功耗需求至关重要。美光通过技术革新实现了能效的显著提升，例如与业界其他HBM3解决方案相比，美光将硅通孔（TSV）数量翻倍，增加5倍金属密度以降低热阻，以及设计更为节能的数据通路。

美光科技表示，作为HBM3 Gen2产品开发工作的一部分，美光科技与台积电之间的合作为AI和HPC设计应用的计算系统的顺利引入和集成奠定了基础。台积电已收到美光科技HBM3 Gen2内存样品，并正在与美光科技密切合作进行进一步评估和测试，助力客户的下一代高性能计算应用创新。

美光副总裁暨计算与网络事业部计算产品事业群总经理 Praveen Vaidyanathan表示：“美光第二代HBM3解决方案旨在为客户及业界提供卓越的人工智能和高性能计算解决方案。我们的一个重要考量标准是，该产品在客户平台上是否易于集成。美光HBM3具有完全可编程的内存内建自测试（MBIST）功能，可在完整规格的引脚速度下运行，使美光能为客户提供更强大的测试能力，实现高效协作，助力客户缩短产品上市时间。”

此前，美光科技推出基于1α(1-alpha)24Gb单片DRAM芯片的96GB DDR5模块，用于容量需求大的服务器解决方案，此次推出的是基于1β 24Gb芯片的24GB HBM3产品。美光科技计划，在2024年上半年推出基于1β 32Gb单片DRAM芯片的128GB DDR5模块。