美光1γ DRAM、HBM芯片将于2025年上半年量产

随着人工智能、大数据等技术的不断普及，业界对DRAM芯片的要求不断提高。为了提高性能和容量，存储器制造商们正在瞄准先进制程技术。

美光公司日本负责人Joshua Lee在SEMICON Japan 2023展会表示，美光位于日本广岛的工厂将于2025年生产最先进的存储芯片“1γ（Gamma）DRAM”。他表示，美光将成为第一家将EUV光刻机引入日本的半导体企业。预计1γ DRAM将使用EUV光刻机进行制造。此外，美光还计划在广岛工厂生产生成式AI用HBM。

日本经济产业省于10月宣布，将对美光位于日本的广岛工厂最高补贴1,920亿日元。美光日前表明，包含广岛工厂在内，今后数年将在日本最高投资5,000亿日元。

此前，美光还对外透露，1α与1β DRAM以及176、232层NAND Flash占据位元出货主力，美光首次采用极紫外光制程技术的1γ DRAM进展顺利，预计2025年量产。下一代NAND Flash同样进展顺利。

在其他存储器制造商方面，SK海力士于今年5月30日宣布已经完成了现有DRAM中最微细化的第五代10纳米级（1b）技术的研究和开发，并将应用其技术于DDR5服务器DRAM，提供给英特尔公司（Intel®）的“英特尔数据中心存储器认证程序”。该公司表示，明年上半年将把1b工艺扩大适用于LPDDR5T、HBM3E等高性能产品。