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三星正试产第二代3纳米芯片 力争良率超过60%

发布时间:2024-01-22 17:00:00 阅读量:435

消息称三星已开始制造第二代3纳米制程(SF3)试制品,并测试芯片性能和可靠性,目标是6个月力拼良率超过60%。这一动作表明,三星正全力以赴争夺客户,与台积电展开激烈的竞争,计划在今年上半年开始量产第二代3纳米环绕栅(GAA)架构制程。

竞争的焦点主要集中在能否满足大型客户如Nvidia、高通、AMD等的需求,以及是否能够在短时间内迅速提高产量。三星正在对SF3试制芯片进行性能和可靠性测试,首个搭载该芯片的产品将是即将发布的Galaxy Watch 7应用处理器(AP)。预计SF3芯片还将用于Galaxy S25系列的Exynos 2500芯片。

三星正试产第二代3纳米芯片 力争良率超过60%

如果SF3产量和性能稳定,转向台积电的客户将有机会回流,例如三星就相当关注与高通的合作。后者在新一代 Snapdragon 8 Gen 3 中与台积电合作生产。此外,Nvidia H200、B100和AMD MI300X预计也将采台积电3纳米制程。

报道提到SF3的芯片良率目标达到60%,但并未详细说明晶体管数量、芯片尺寸、性能、功耗等规格。对于不同类型的芯片,这些规格有着不同的要求,因此SF3芯片的商业化是否能够如期实现,仍需进一步验证。

此外,智能手表应用处理器、手机芯片和数据中心处理器的芯片尺寸、性能和功耗目标完全不同。小型芯片如果良率只有 60%,要商用相当困难,但若是光罩尺寸(reticle size)的芯片良率为 60%,就相当合理。

标签: 三星 芯片

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