三星正试产第二代3纳米芯片 力争良率超过60%

消息称三星已开始制造第二代3纳米制程（SF3）试制品，并测试芯片性能和可靠性，目标是6个月力拼良率超过60%。这一动作表明，三星正全力以赴争夺客户，与台积电展开激烈的竞争，计划在今年上半年开始量产第二代3纳米环绕栅（GAA）架构制程。

竞争的焦点主要集中在能否满足大型客户如Nvidia、高通、AMD等的需求，以及是否能够在短时间内迅速提高产量。三星正在对SF3试制芯片进行性能和可靠性测试，首个搭载该芯片的产品将是即将发布的Galaxy Watch 7应用处理器（AP）。预计SF3芯片还将用于Galaxy S25系列的Exynos 2500芯片。

如果SF3产量和性能稳定，转向台积电的客户将有机会回流，例如三星就相当关注与高通的合作。后者在新一代 Snapdragon 8 Gen 3 中与台积电合作生产。此外，Nvidia H200、B100和AMD MI300X预计也将采台积电3纳米制程。

报道提到SF3的芯片良率目标达到60%，但并未详细说明晶体管数量、芯片尺寸、性能、功耗等规格。对于不同类型的芯片，这些规格有着不同的要求，因此SF3芯片的商业化是否能够如期实现，仍需进一步验证。

此外，智能手表应用处理器、手机芯片和数据中心处理器的芯片尺寸、性能和功耗目标完全不同。小型芯片如果良率只有 60%，要商用相当困难，但若是光罩尺寸（reticle size）的芯片良率为 60%，就相当合理。