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三星获美国至多64亿美元建厂补贴将生产2nm芯片

发布时间:2024-04-16 14:38:00 阅读量:494

近日,美国政府宣布将向三星电子提供至多价值 64 亿美元(当前约合 464.64 亿元人民币)的补贴,而三星电子将在得克萨斯州投资超过 400 亿美元,建设包括 2nm 晶圆厂在内的一系列半导体项目。

与台积电一样,三星电子此次同美国政府签订的是不具约束力的初步备忘录。

三星获美国至多64亿美元建厂补贴将生产2nm芯片

三星电子将在得克萨斯州的两个地点建立一个半导体生态集群,包括:在泰勒市的两座先进逻辑代工厂,分别为 4nm 和 2nm 制程;在泰勒市的一座先进制程研发设施;在泰勒市的一座先进封装工厂,可进行 3D HBM 内存的生产和 2.5D 封装;在奥斯汀扩建现有半导体设施,扩大 FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)工艺产能。

三星电子此次投资将在未来 5 年为美国创造超过 17000 个建筑行业工作岗位和 4500 多个高薪制造业工作岗位。作为配套,美国政府还将通过《芯片法案》提供 4000 万美元(当前约 2.9 亿元人民币)的当地劳动力培训发展资金。

三星电子 DS 事业部总裁庆桂显表示:“我们不仅仅是在扩大生产设施:我们正在加强本地半导体生态系统,并将美国定位为全球半导体制造目的地。为了满足美国客户预期的需求激增,对于人工智能芯片等未来产品,我们的晶圆厂将配备尖端工艺技术,并帮助提高美国半导体供应链的安全性。”

标签: 三星 芯片

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