三星获美国至多64亿美元建厂补贴将生产2nm芯片

近日，美国政府宣布将向三星电子提供至多价值 64 亿美元（当前约合 464.64 亿元人民币）的补贴，而三星电子将在得克萨斯州投资超过 400 亿美元，建设包括 2nm 晶圆厂在内的一系列半导体项目。

与台积电一样，三星电子此次同美国政府签订的是不具约束力的初步备忘录。

三星电子将在得克萨斯州的两个地点建立一个半导体生态集群，包括：在泰勒市的两座先进逻辑代工厂，分别为 4nm 和 2nm 制程；在泰勒市的一座先进制程研发设施；在泰勒市的一座先进封装工厂，可进行 3D HBM 内存的生产和 2.5D 封装；在奥斯汀扩建现有半导体设施，扩大 FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）工艺产能。

三星电子此次投资将在未来 5 年为美国创造超过 17000 个建筑行业工作岗位和 4500 多个高薪制造业工作岗位。作为配套，美国政府还将通过《芯片法案》提供 4000 万美元（当前约 2.9 亿元人民币）的当地劳动力培训发展资金。

三星电子 DS 事业部总裁庆桂显表示：“我们不仅仅是在扩大生产设施：我们正在加强本地半导体生态系统，并将美国定位为全球半导体制造目的地。为了满足美国客户预期的需求激增，对于人工智能芯片等未来产品，我们的晶圆厂将配备尖端工艺技术，并帮助提高美国半导体供应链的安全性。”