SK海力士考虑新建DRAM工厂应对需求增长

除了最近宣布的M15X计划之外，SK海力士还在考虑建设一家新的内存工厂，对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。

据报道，该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产，预计今年内存芯片需求将大幅增长。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示，“我们了解到，他们不仅对在韩国建立新基地的可能性持开放态度，也对在美国乃至其他地区建立新基地持开放态度。”

当地时间 24 日，SK 海力士宣布在韩国清州 M15X 工厂安装新的 DRAM 设施。SK 海力士光是在这家工厂就已经投资了 20 万亿韩元（当前约 1054 亿元人民币），目标是明年 11 月启动产线。

据悉，M15X 工厂将配备最新的半导体设备，包括一台极紫外线（EUV）光刻机，用于生产 10 纳米第五代 D-RAM 及更先进的产品。如果 SK hynix 确认追加投资，这将是继龙仁集群、美国印第安纳先进封装厂和 M15X 之后的又一项重大投资。

此前，SK 海力士 CEO 郭鲁正曾表示：“M15X 将成为向全世界提供 AI 应用存储器的核心设施，也是公司迈向未来的垫脚石，我确信此次投资不仅有助于公司，还会对国家经济的未来发展作出贡献。”