SK海力士计划2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍

SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。 

除了 HBM4E 外，有消息称 SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。

目前的主流 HBM3E 产品均采用 24Gb DRAM 颗粒，这使得 HBM3E 内存可在 8 层堆叠下达到 24GB 单堆栈容量，如果采用 12 层堆叠，那 HBM3E 堆栈就可达到 36GB。

未来的 HBM4E 内存更新到 32Gb DRAM 裸片后，12 层堆叠版本就能实现 48GB 单颗容量，16 层版本更是可达到 64GB 的超大规模，为 AI 用例创造更多可能。

Kim Kwi Wook 预计，HBM4E 内存可较 HBM4 在带宽上提升 40%、密度提升 30%，同时能效也提高 30%。

HBM4 / HBM4E 的开发“加速过程”无疑显示了 AI 领域巨头对高性能内存的强劲需求，日益强大的 AI 处理器需要更高内存带宽的辅助。