SK海力士计划2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
发布时间:2024-05-14 15:00:00 阅读量:481
SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示,当前业界HBM技术已经到了新的水平,行业需求促使SK海力士将加速开发过程,最早在2026年推出HBM4E内存,相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
除了 HBM4E 外,有消息称 SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品,而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。
目前的主流 HBM3E 产品均采用 24Gb DRAM 颗粒,这使得 HBM3E 内存可在 8 层堆叠下达到 24GB 单堆栈容量,如果采用 12 层堆叠,那 HBM3E 堆栈就可达到 36GB。
未来的 HBM4E 内存更新到 32Gb DRAM 裸片后,12 层堆叠版本就能实现 48GB 单颗容量,16 层版本更是可达到 64GB 的超大规模,为 AI 用例创造更多可能。
Kim Kwi Wook 预计,HBM4E 内存可较 HBM4 在带宽上提升 40%、密度提升 30%,同时能效也提高 30%。
HBM4 / HBM4E 的开发“加速过程”无疑显示了 AI 领域巨头对高性能内存的强劲需求,日益强大的 AI 处理器需要更高内存带宽的辅助。
相关文章阅读
-
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
2024-05-22
-
SK海力士再获HBM大单 客户存款大增
2024-05-21
-
SK海力士将为特斯拉生产电源管理(PMIC)芯片
2024-05-16
-
三星、SK海力士将停供DDR3 或致价格飙涨
2024-05-13
-
SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案
2024-05-10
-
SK海力士表示2025年生产的HBM产品基本售罄
2024-05-06
-
SK海力士考虑新建DRAM工厂应对需求增长
2024-04-29
-
SK海力士将清州M15X定为DRAM生产基地
2024-04-25