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Nexperia推出新款1200V碳化硅MOSFET

发布时间:2024-05-23 14:00:00 阅读量:389

Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。

随着NSF0xx120D7A0的发布,Nexperia正在满足市场对采用D2PAK-7等SMD封装的高性能SiC开关日益增长的需求,这种开关在电动汽车(EV)充电(充电桩)、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。这也进一步证明了Nexperia与三菱电机公司(MELCO)之间成功的战略合作伙伴关系,两家公司联手将SiC宽带隙半导体的能效和电气性能推向了新的高度,同时还提高了该技术的未来生产能力,以满足不断增长的市场需求。

Nexperia推出新款1200V碳化硅MOSFET

RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数,因为它会影响传导功率损耗。然而,许多制造商只关注标称值,而忽略了一个事实,即随着设备工作温度的升高,RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上,从而造成相当大的传导损耗。Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素之一,新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术特性,实现了业界领先的RDSon温度稳定性,在25℃至175℃的工作温度范围内,RDSon的标称值仅增加38%。

严格的阈值电压VGS(th)规格使这些MOSFET分立器件在并联时能够提供平衡的载流性能。此外,较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率,同时还能放宽对续流操作的死区时间要求。

标签: MOSFET Nexperia

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