芯片材料实现突破！南大光电高端ArF光刻胶认证通过 可用于7nm工艺

随着国内IC行业的快速发展以及先进制程工艺的应用，光刻胶的用量持续提升。按照曝光波长不同，光刻胶可分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）以及新兴的EUV光刻胶5大类。其中，ArF 光刻胶材料可用于90nm-14nm 甚至 7nm 技术节点的集成电路制造工艺，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等高端芯片制造。作为光刻环节的重要耗材，光刻胶的质量和性能直接影响集成电路制造产线良率，是集成电路制造的核心材料之一。

光刻胶有不同的技术类别，全球高端光刻胶（主要指KrF、ArF和EUV光刻胶）市场被以日本合成橡胶、东京应化、信越化学、富士电子材料等为代表的国外技术垄断。低端的中g线/i线光刻胶自给率约为20%，KrF光刻胶自给率不足5%，这也是国内半导体的待解决问题。目前，国内从事高端光刻胶研发和生产的公司主要有南大光电、上海新阳、晶瑞股份、北京科华等。

近日，南大光电于5月31日晚间发布公告，控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后，近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破，表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。南大光电是一家专业从事高纯电子材料研发、生产和销售的高新技术企业，公司正式成立于2000年，技术来源于南京大学。目前已完成两条光刻胶生产线的建设，正在推动ArF光刻胶的客户验证和量产工作，相关配套材料产业化也在稳步推进。

从市场规模上看，在半导体产业链条中，光刻胶只不过是占比不足1%的细小市场。数据显示，2020年全球半导体市场规模4260亿美元，而应用于半导体市场的光刻胶规模却仅为19亿元，仅占半导体行业的0.4%。半导体制作过程中，光刻胶是必不可少的核心原料，缺了它就将让半导体的光刻流程陷入瘫痪。具体而言，光刻会涉及七大流程：涂胶、前烘、曝光、显影、竖膜、刻蚀、去胶。光刻胶虽然是一种有机化合物，但也可能影响芯片制造的效果，看似不起眼的光刻胶实则是一个不断进化中的行业。