性能强于台积电？三星3nm芯片成功流片 将进入规模量产

在芯片制造领域，目前台积电和三星无人能及，这两家公司不但获得了最多ASML的EUV光刻机，同时也双双在3nm工艺上趋于圆满，争得不相上下。近日三星宣布，3nm制程技术已经正式流片。采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nmFinFET架构。3nm对于三星而言也是非常重要的一个节点，因为在5nm工艺上，三星并没有采用新技术，而是利用7nm改进而来，而台积电的5nm则是全新技术，所以这方面台积电要强于三星。

报道称，三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的，目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构，而是采用GAA的结构。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

在技术性能上，GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下，GAA的沟道控制能力得以强化，借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。

此次流片是由Synopsys和三星代工厂合作完成的。在芯片的开发研制过程中，流片就是尝试对芯片进行生产；成功流片则表明，这款芯片已经通过了工厂的“流水线生产步骤”，并且全程零失误，之后生产流程也将以此为准。对于三星来说，此举意味着，该司基于GAA架构的3nm工艺芯片将很快迎来量产的一天。