长鑫存储19nmDDR内存芯片良率已达75% 17nm工艺在爬升中

2019年9月份，合肥长鑫量产了国内首款DDR4内存芯片，这两年来已经在多个国产内存品牌中商用。在性能和价格两方面，都得到不错的反馈。

据资料显示，合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元，选址位于合肥空港经济示范区，占地面积约1520万平方米，由长鑫12寸存储区晶圆制造基地（以下简称基地）、空港集成电路配套产业园、空港国际小镇三个片区组成。

其中，长鑫12寸存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一个投入量产的DRAM设计制造一体化项目，也是安徽省单体投资最大的项目，总投资约1500亿元；空港集成电路配套产业园，位于基地西侧，总投资超过200亿元；合肥空港国际小镇位于基地北侧，规划土地面积为920万平方米，规划总建筑面积为420万平方米，总投资为500亿元。

到2020年底，合肥长鑫12寸存储器晶圆制造基地项目提前达到4万片/月的产能，今年3月份开始启动6万片/月产能建设，实现了从投产到量产再到批量销售的关键跨越。

内存技术上，长鑫量产的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工艺，此前一直没有公布具体细节，日前兆易创新在一次会议上透露长鑫的19nm工艺良率已达75%。

75%的良率在业内不算顶尖水平，不过考虑到长鑫生产内存不到2年时间，现在的良率表现已经不错了，制造出来还是能保证毛利的。

此外，长鑫的第二代内存升级到了17nm工艺，具体良率没公布，但目前会比较低，还在爬升中。