-
媒体报道
SK海力士HBM3E芯片供不应求 明年产能已被预订一空
在第三季度财报电话会议上,SK海力士的一位领导者表示:“我们已经在2023年出售了明年HBM3和HBM3E的所有产量。”此外,其还表示正在与客户就2025年的产能进行谈判。
-
行业新闻
人工智能芯片需求强劲 SK海力士Q3亏损大幅收窄
全球第二大存储芯片制造商韩国SK海力士公司周三报告称,第二季度净亏损2.98万亿韩元(约合23亿美元),上年同期为净利润2.88万亿韩元。
-
媒体报道
美国宣布三星、SK海力士已获无限期出口豁免
美国商务部工业与安全局(BIS)公布新规,更新对三星和SK海力士的一般授权,将两家公司在华工厂纳入“经验证最终用户”(VEUs)。被纳入该清单意味着三星和SK海力士此后无需额外获得许可,即可向其在华工厂提供设备。
-
行业新闻
美国将延长三星和SK海力士对华出售芯片豁免权
据报道,美国预计将无限期延长韩国芯片制造商三星(Samsung)和SK海力士(SK Hynix)在华工厂进口美国芯片设备的豁免权。多名消息人士表示,美国最早将于本周发布相关公告。
-
行业新闻
存储芯片需求低迷或导致三星和SK海力士Q3亏损
由于供需变化,芯片市场目前正处于下行周期,因此存储厂商已经开始减产以应对行业现状。尽管全球半导体产业已经出现了一些好转的迹象,但据相关媒体报道,存储芯片的需求仍然疲软,这可能会导致三星电子存储业务部门和SK海力士在第三季度继续亏损。
-
媒体报道
消息称三星、SK海力士预计2026年量产新一代HBM4
存储芯片行业需求复苏或将迎来周期拐点,AI应用的兴起或成催化剂,供需矛盾逐渐缓解。最新消息称三星和 SK 海力士正在推进名为混合键合(Hybrid Bonding)的封装工艺,突破 TCB 和 MR 的发热、封装高度等限制。
-
媒体报道
SK海力士DRAM Q2销售额大增 但仍落后于三星电子
据TrendForce研究,由于AI服务器需求的增加,HBM的出货量也随之增长。此外,客户端DDR5备货潮也推动了三大原厂的出货量增长。第二季度DRAM产业营收约为114.3亿美元,环比增长20.4%,结束了连续三个季度的下滑趋势。
-
媒体报道
库存处于高位 SK海力士、三星总额逼近50万亿韩元
据报道,随着消费电子产品需求下滑以及对存储芯片的需求减少,SK海力士和三星电子这两大存储芯片制造商相继削减了产量。其中,SK海力士去年10月份就已决定削减今年的投资,并逐步减少产量;而三星电子则是在营业利润大幅下滑后,从4月份开始削减存储芯片的产量。
-
媒体报道
SK海力士宣布LPDDR5T已完成验证 速度高达9.6Gbps
SK海力士表示,LPDDR5T于2023年1月开发,实现了9.6gb/秒(Gbps)的运行速度。今年2月SK海力士向联发科提供了样品,以验证其产品性能。
-
媒体报道
SK海力士发布321层NAND闪存样品 预计2025年上半年量产
SK海力士于当地时间8日,在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会”上,公布了321层1Tb TLC 4D NAND闪存开发的进展,并展示了现阶段开发的样品。作为业界首家公布300层以上NAND具体开发进展的公司,SK海力士宣布,将进一步完善321层NAND闪存,并计划于2025年上半期开始量产。