瑞萨电子 HIP2211EVAL2Z评估板产品介绍

简介

Renesas HIP2211EVAL2Z评估板提供了一个全面、多功能平台，用于评估HIP2211 N沟道MOSFET半桥驱动器。HIP2211EVAL2Z板设计用于60V半桥应用，具有12V电源，用于偏置HIP2211 IC的VDD。

特性

3A拉电流和4A灌电流NMOS栅极驱动器

内部电平转换器和自举二极管，用于高侧NFET的栅极驱动器

高达100V高侧自举基准

规范

该板优化用于以下工作条件：

12V标称VDD电源

VBRIDGE电源输入：0V至60V

PWM开关频率：100kHz

栅极驱动峰值电流：3A拉电流和4A灌电流

必要设备

一款可提供12V或更高电压且至少具有2A拉电流能力的电源

一款可提供60V或更高电压以偏置半桥的电源

一款具有0V至5V逻辑电平输出和100kHz能力的脉冲发生器

可选：一个脉冲发生器，具有两个可同步的0V至5V逻辑电平输出和100kHz能力

至少4通道示波器，用于监控LI、HI、LO、HO和HS信号

可选：直流电子负载，用于从LC滤波器输出中提取电流

正面和背面布局