SK海力士成功研发238层闪存芯片 将于2023年上半年量产

世界第二大存储芯片制造商韩国SK海力士周三表示，已开发出其最先进的NAND闪存芯片，该芯片由238层存储单元组成，将用于个人电脑存储设备，以及智能手机和服务器。SK海力士称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%。此外，该公司准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。

SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上公开该产品。公司表示，这是公司自2020年12月研发出176层NAND后时隔1年零7个月成功研发下一代新技术。尤其是新产品既拥有业界最高层数，也是目前最小的NAND产品，其意义重大。

与176层NAND相比，新产品的生产效率提升34%，数据传输速度（每秒2.4Gb）提升50%，功耗减少21%。SK海力士计划先为客户端固态硬盘（SSD）供应238层NAND，之后逐步将产品使用范围扩大至智能手机和大容量服务器固态硬盘，并于明年推出该产品的1Tb扩容版。

英特尔NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm，它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%，仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。值得一提的是，此前美国竞争对手美光科技(MU.US)在上周宣布，已开始出货一款232层的NAND闪存芯片。