SK海力士成功研发238层闪存芯片 将于2023年上半年量产

发布时间:2022-08-03 18:23:28 阅读量:335

世界第二大存储芯片制造商韩国SK海力士周三表示,已开发出其最先进的NAND闪存芯片,该芯片由238层存储单元组成,将用于个人电脑存储设备,以及智能手机和服务器。SK海力士称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升50%,读取数据消耗的能量降低21%。此外,该公司准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。

SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上公开该产品。公司表示,这是公司自2020年12月研发出176层NAND后时隔1年零7个月成功研发下一代新技术。尤其是新产品既拥有业界最高层数,也是目前最小的NAND产品,其意义重大。

SK海力士成功研发238层闪存芯片 将于2023年上半年量产

与176层NAND相比,新产品的生产效率提升34%,数据传输速度(每秒2.4Gb)提升50%,功耗减少21%。SK海力士计划先为客户端固态硬盘(SSD)供应238层NAND,之后逐步将产品使用范围扩大至智能手机和大容量服务器固态硬盘,并于明年推出该产品的1Tb扩容版。

英特尔NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm,它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%,仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。值得一提的是,此前美国竞争对手美光科技(MU.US)在上周宣布,已开始出货一款232层的NAND闪存芯片。

标签: SK海力士 闪存芯片

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