您好,欢迎来到ICGOO,这里是国内领先的电子产业服务平台!

SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM开发完成

发布时间:2023-05-31 17:01:57 阅读量:496

SK海力士宣布其第五代10纳米工艺1bnm已经完成验证,将为下一代DDR5和HBM3E解决方案提供支持。SK海力士 1bnm工艺将为DDR5提供6.4 Gbps的速度,为HBM3E提供8 Gbps的速度。

SK海力士还确认,下一代1bnm节点将被用于生产DDR5和HBM3E(高带宽内存)解决方案。该企业表示,Xeon Scalable平台获得了英特尔认证,支持在1bnm节点上构建的DDR5产品。1bnm DDR5内存的成功评估发生在1anm(第四代10nm节点)实现准备就绪并同时完成英特尔认证的时候。

SK海力士预计,在成功验证了1anm服务器DDR5产品与第四代英特尔至强可扩展处理器的兼容性之后,与英特尔合作的1bnm DDR5产品的验证过程将顺利进行。

SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM开发完成

在人们对内存市场将从下半年开始复苏的期望越来越高的情况下,我们相信我们业界领先的DRAM技术,通过这次1bnm工艺的大规模生产再次得到证明,将帮助我们从下半年开始提高收益。

开发初期试运行的DDR5产品运行速度为4.8Gbps,而JEDEC标准中规定的DDR5的最高速度为8.8Gbps。

提供给英特尔的DDR5产品的运行速度为6.4Gbps(目前为业界最高),比DDR5开发初期的测试产品的数据处理速度提高了33%。此外,1bnm DDR5内存的功耗将比1anm节点低20%,这是因为采用了高K金属栅极工艺,引入了高介电常数材料,可以防止泄漏电流并提高电容。

HBM3E(HBM3扩展): HBM3E是第五代高带宽内存产品,继承了前几代HBM、HBM2、HBM2E和HBM3。SK海力士计划在下半年准备好HBM3E产品的样品,以8Gbps的数据处理速度运行,并在2024年开始大规模生产。

该企业还表示,该公司将在2024年下半年前采用1bnm工艺生产基于LPDDR5T和HBM3E的产品。SK海力士计划准备以8Gbps数据处理速度运行的HBM3E产品的样品,并在2024年开始大规模生产。

标签: DRAM SK海力士 DDR5

分享到:

郑重声明:本文版权归原作者所有,转载文章仅为传播更多信息之目的,如作者信息标记有误,请第一时间联系我们修改或删除,感谢您的关注!

推荐产品

关注我们