罗姆计划于2024年在日本开始生产碳化硅晶圆

罗姆半导体（Rohm）近日宣布，计划于2024年在日本首次生产碳化硅（SiC）晶圆。此举旨在扩大产能，并提高供应稳定性，以满足日益增长的市场需求。

罗姆株式会社社长松本功在2023年11月财报电话会议上宣布，将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸（200mm）碳化硅晶圆，主要供罗姆公司内部使用，预计将于2024年开始运营。

宫崎第二工厂原本是出光兴产子公司Solar Frontier的原国富工厂。罗姆即将通过一项交易收购这家工厂。一旦转换为罗姆在宫崎的第二工厂，这将成为罗姆最大的碳化硅功率半导体工厂，生产8英寸晶圆。

相关信息显示，碳化硅具有特殊的导电性能，可用于生产开关速度快、损耗低的电力电子芯片。同时，碳化硅芯片具有更强的耐热性，因此可以提高电子器件的功率密度。得益于这些特点，碳化硅电子元器件的转换损耗比传统硅更低。与普通半导体使用的硅相比，即便在约10倍的高电压下，碳化硅也能保持绝缘性。由于耐受高电压，可使半导体缩小尺寸并减小厚度，电阻也能降低。与硅相比，能使电力损耗减至一半以下。

据罗姆官网介绍，罗姆目前在日本拥有四个基于碳化硅的功率半导体生产基地，分别位于京都总部、福冈县筑后工厂和长滨工厂以及宫崎第一工厂。罗姆的目标是到2025财年碳化硅功率半导体收入达到1000亿日元，同时将产能提高到2021财年的6倍。