Intel成功拿下全球首台High-NA EUV光刻机

芯片巨头英特尔近日喜获业内首台具有 0.55 数值孔径（High-NA）的 ASML 极紫外（EUV）光刻机，将助力其在未来几年实现更先进的芯片制程。与之形成鲜明对比的是，另一巨头台积电则按兵不动，似乎并不急于加入这场下一代光刻技术的竞赛。业内分析师预计，台积电可能要到 2030 年甚至更晚才会采用这项技术。

英特尔此次获得的 High-NA EUV 光刻机将首先用于学习和掌握这项技术，预计在未来两三年内用于 18A （1.8nm 工艺）之后的芯片制程节点。台积电更为谨慎，可能要到2030年后的N1.4工艺才会使用High-NA EUV技术。

分析师 Szeho Ng 表示：“与英特尔计划将 High-NA EUV 与 GAA 晶体管同时引入 20A 制程不同，我们预计台积电将在 N1.4 制程之后才引入 High-NA EUV，最早也要到 2030 年以后。”

根据此前报道，ASML将在2024年生产最多10台新一代高NA EUV光刻机，其中Intel就定了多达6台。

到了2027-2028年，ASML每年都能生产20台左右的高NA EUV光刻机。

新光刻机的价格估计至少3亿美元，甚至可能达到或超过4亿美元，也就是逼近人民币30亿元，而现有低NA EUV光刻机需要2亿美元左右。