SK海力士计划升级中国无锡工厂

SK海力士计划在2024年之前，完成对无锡C2工厂的改造，转换升级为第四代（1a）D-ram 工艺，该工艺达到10nm级别。

随着全球半导体市场进入复苏，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。SK海力士总裁郭鲁正出席CES展会时表示：“我们自去年以来就地缘政治问题组建了内部工作组，相信企业风险由此得到很大程度的缓解。”

消息称 SK 海力士会在无锡工厂完成第四代 D-RAM 的部分工艺，然后把晶圆运到韩国总部利川园区内，使用 EUV 加工之后再返回送到无锡工厂。

据悉，无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，产量约占其DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

对于“无锡工厂将技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。