联电与英特尔合作开发12纳米芯片 预计2027年投产

联电与英特尔共同宣布，双方将合作在英特尔美国亚利桑那州厂开发和制造12nm制程平台，以因应行动、通讯基础建设和网络等市场快速成长需求。

此项 12nm 制程将运用英特尔位于美国的大规模制造能力和 FinFET 电晶体设计经验，将在英特尔位于美国亚利桑那州 Ocotillo Technology Fabrication 的 12、22 和 32 厂进行开发和制造，预计在 2027 年投入生产。

英特尔资深副总裁暨晶圆代工服务（IFS）总经理 Stuart Pann 表示：“英特尔致力于与联电这样的企业合作，为全球客户提供更好的服务。英特尔与联电的策略合作进一步展现了为全球半导体供应链提供技术和制造创新的承诺，也是实现英特尔在 2030 年成为全球第二大晶圆代工厂的重要一步。”

联电共同总经理王石表示，联电与英特尔在美国合作制造12nm鳍式场效电晶体FinFET制程，是追求具成本效益的产能扩张，和技术升级策略的重要一环。并称，这项合作将协助客户顺利升级到12nm制程技术，同时受惠扩展位于北美市场产能带来的供应链韧性。联电期待与英特尔策略合作，利用双方互补优势，扩大潜在市场，同时大幅加快技术发展时程。

据TrendForce集邦咨询研究显示，在2023年第三季度晶圆代工市场中，联电以6.0%市占率占据全球第四的位置，而英特尔晶圆代工服务（IFS）则为1.0%，居位全球第九。