SK海力士第6代10nm级DRAM计划于2024Q3量产

据业内人士透露，SK 海力士正在准备第六代 10nm 级别的 1cnm 工艺的产品，已经制定了对应的客户认证及生产计划，打算在 2024 年第三季度量产，这将领先于竞争对手三星。相比于现在的 1 β nm 工艺产品，1cnm 工艺在同样采用 EUV 光刻技术的情况下，每片晶圆可生产更多数量的芯片，并实现更高的功率效率。

SK 海力士将加快英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证步伐，以便 1cnm DDR5 DRAM 量产后能够迅速进入市场，第一时间供应给亚马逊和微软等主要客户。SK 海力士去年正是把握了 1 β nm   DDR5 DRAM 抢先通过验证及上市的机会，获得了相当部分的数据中心 DDR5 内存产品的市场份额，一定程度上弥补了存储器市场低迷造成的损失。

三星上个月在美国硅谷举行的 "Memcon   2024" 全球半导体大会上表示，计划今年底量产 1cnm DRAM 产品，12 月前获得客户验证。