存储大厂启动平泽P4工厂1c纳米DRAM产线
发布时间:2024-08-15 11:30:00 阅读量:840
据韩媒引述业界消息称,已证实三星电子正准备向P4引进DRAM处理设备。线路建设已全面启动,目标是明年6月投入运营,生产第六代1c制程 DRAM。
另据消息称,三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4(第6代HBM),计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。
据此前消息,三星平泽P4是综合性半导体生产中心,分为四期计划。三星早期规划,一期生产NAND Flash闪存,二期为逻辑代工,三期及四期为DRAM內存。三星已在P4一期导入DRAM设备,却宣布搁置二期建设。
1c纳米制程DRAM是第六代10纳米级DRAM制程,但1c DRAM目前尚未商业化,三星电子和SK海力士都在积极准备量产。
其中,三星计划2024年底启动1c纳米生产,考虑2025下半年推出HBM4采用1c纳米DRAM裸片,或以更先进DRAM制程提升HBM4竞争力。
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