英飞凌 EVAL_HB_BC_1EDN8550B评估平台产品介绍
发布时间:2021-08-19 11:56:00 阅读量:1027
导读:英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。
简介
英飞凌EVAL_HB_BC_1EDN8550B半桥降压转换器评估板提供了用于演示EiceDRIVER™ 1EDN TDI的平台,EiceDRIVER™ 1EDN TDI是一系列单通道低侧栅极驱动器,采用创新的真差分输入 (TDI) 概念。TDI概念旨在克服因驱动器和微控制器接地电位之间存在直流偏移(DC GND位移)或交流电压降(AC GND位移)而导致的驱动问题。以DC和AC GND位移为特征的驱动问题分别是高侧器件的驱动和在嘈杂环境中的驱动,以及在接地路径上具有显著的杂散电感。EVAL_HB_BC_1EDN8550B可用于评估当有意生成交流和直流对地位移时,1EDN TDI驱动是否正常。在半桥设计中,1EDN TDI作为高侧驱动器使用的设计是为了进一步证明其直流对地位移的稳定性。
特性
在高达60W下通过测试的48V半桥降压转换器
用于生成和调节直流对地位移的集成部分
可轻松调节交流对地位移
可以在对地偏移情况下比较1EDN TDI和标准低侧驱动器
应用
工业、服务器和电信开关模式电源 (SMPS)
无线充电
英飞凌是全球知名的半导体设计、制造和供应商,其产品广泛应用于各种微电子应用。英飞凌产品系列包括逻辑产品,如数字、混合信号及模拟集成电路以及分立式半导体产品等。
相关文章阅读

英飞凌居林200mm碳化硅晶圆厂第一阶段建设完成

英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度

英飞凌推出PSoCTM 4高压精密模拟(HVPA)-144K微控制器

英飞凌推出全新 NFC I2C 桥接标签
-
英飞凌50亿欧元德累斯顿芯片工厂最终建设许可获批
2024-06-04
-
英飞凌推出新型MOTIX™电机栅极驱动器IC
2024-05-11
-
英飞凌推出首款通过安全认证的Rust生态系统
2024-05-09
-
英飞凌宣布将为小米汽车提供先进功率芯片
2024-05-07
-
英飞凌CEO称将持续扩大对华投资
2024-04-25
-
英飞凌发布新一代PSoC Edge产品系列
2024-04-25
-
英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7
2024-04-16
-
英飞凌推出用于功率MOSFET的新型顶部冷却封装
2024-04-15
热门分类
推荐产品
资讯排行榜
关注我们
