英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 1200V评估平台产品介绍
发布时间：2023-02-27 10:15:00 阅读量：809
导读：英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。
简介
英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 1200V评估平台用于演示与EiceDriver™栅极驱动器IC耦合时45mΩ CoolSiC™ 1200V SiC沟槽式MOSFET (IMZ120R045M1) 的特性。该评估平台包括一个模块化主板 (EVALPSSICDPMAGITOBO1)、一个米勒钳位子板 (REFPSSICDP1TOBO1) 和一个双极电源子板 (REFPSSICDP2TOBO1)。
特性
CoolSiC™ MOSFET 1200V主板
VCC2栅极驱动电压电源：-5V至+20V
VCC1电源：固定在+5V
通过SMA BNC连接器进行栅极连接
通过可选的同轴分流器进行电流测量
优化的换向环路
外部负载电感器连接
包括散热片
板布局
框图
英飞凌是全球知名的半导体设计、制造和供应商，其产品广泛应用于各种微电子应用。英飞凌产品系列包括逻辑产品，如数字、混合信号及模拟集成电路以及分立式半导体产品等。
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