SK海力士宣布在大连新建3D NAND工厂
发布时间：2022-05-19 16:00:00 阅读量：475
2020年9月份SK海力士宣布斥资90亿美元收购Intel的NAND闪存业务，并于去年底完成了第一阶段的交易，接手了Intel的闪存业务，也包括位于中国大连的闪存芯片工厂。日前SK海力士宣布在中国再建新的闪存工厂，其非易失性存储器制造项目在辽宁大连开工，该项目将建设一座新的晶圆工厂，生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。
SK海力士半导体(中国)总裁郑银泰表示，SK海力士将中国视为重要的合作伙伴，并始终保持着同中国的友好合作关系。
在大连新建NAND闪存工厂的同时，SK海力士还通过追加投资对无锡、重庆工厂进行了产能扩充，并重点推进了8英寸晶圆代工合资厂、产业园、学校、医院等多个不同领域的在华项目。
本次新建项目不仅有利于提升大连工厂自身的产业竞争力，还有助于保障中国市场供应链稳定。
后续，SK海力士将与大连市政府、Intel大连团队紧密合作，按计划完成新工厂建设，将大连工厂打造成具有国际竞争力的NAND闪存生产基地。
相关文章阅读
存储芯片需求低迷或导致三星和SK海力士Q3亏损
消息称三星、SK海力士预计2026年量产新一代HBM4
三星升级NAND供应链以满足明年市场需求增长
SK海力士DRAM Q2销售额大增 但仍落后于三星电子
-
存储大厂三星目标年底NAND库存正常化
2023-08-23
-
库存处于高位 SK海力士、三星总额逼近50万亿韩元
2023-08-18
-
三星将暂停平泽工厂的NAND Flash生产
2023-08-15
-
SK海力士宣布LPDDR5T已完成验证 速度高达9.6Gbps
2023-08-11
-
SK海力士发布321层NAND闪存样品 预计2025年上半年量产
2023-08-09
-
韩国设3000亿韩元基金助力芯片产业，三星、SK海力士承诺注资
2023-06-26
-
SK海力士开始量产业界最高238层4D NAND闪存
2023-06-08
-
SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM开发完成
2023-05-31
热门分类
推荐产品
资讯排行榜
关注我们
购物指南
消费保障
关于我们
