铠侠计划2026年量产第10代NAND 采用低温蚀刻技术

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铠侠计划2026年量产第10代NAND 采用低温蚀刻技术

发布时间：2024-06-11 15:59:20 阅读量：544

报道称，铠侠计划于2026年量产第10代NAND，并决定采用低温蚀刻技术。该技术允许在更低温的环境下进行蚀刻，从而使存储器的存储单元间的存储通孔（memory hole）以更快的速度形成。

而这种效率的提升不仅可以减少生产时间，还能大幅提高单位时间的生产量。相比传统的电浆蚀刻法，低温蚀刻的加工速度提升了约4倍，标志着存储技术的一次重要革新。

铠侠计划2026年量产第10代NAND 采用低温蚀刻技术

2023年6月，Tokyo Electron成功开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术。该设备可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。TEL当时表示，该技术首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，产生了具有极高蚀刻速率的系统。这项创新技术可在短短33分钟内实现10μm深的高纵横比(晶圆上形成的图案的深度与宽度之比)蚀刻。

目前，市场传出存储厂商都将采用低温蚀刻设备。其中，三星电子正在通过进口该设备的演示版本来评估相同的技术，而这些测试的结果将决定半导体制造中低温蚀刻技术的未来采用和潜在的标准化。

标签：铠侠 NAND

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