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三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

发布时间:2024-05-29 15:00:00 阅读量:535

三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。

如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。

三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲,分析铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)在1000层以上V-NAND技术发展中的关键作用。这项成就被认为将推动低电压和QLC 3D VNAND技术的进一步发展。

此前有消息称,三星计划明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,达到430层,进一步提高NAND的密度,并巩固和扩大其领先优势。

标签: 三星 NAND

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