三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。

如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。

三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲，分析铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）在1000层以上V-NAND技术发展中的关键作用。这项成就被认为将推动低电压和QLC 3D VNAND技术的进一步发展。

此前有消息称，三星计划明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，达到430层，进一步提高NAND的密度，并巩固和扩大其领先优势。