东部高科加大SiC、GaN研发

为了支持未来业务增长，韩国晶圆代工厂东部高科正在加大在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体领域的研发力度。最近的投资旨在提高其8英寸晶圆的制造能力。

由于市场复苏缓慢，该代工厂的8英寸晶圆厂运营预计将受到影响，而转向12英寸晶圆厂运营的问题仍然存在。在这种情况下，东部高科未来的发展将集中在GaN和SiC等新型功率半导体上。

与硅 (Si) 半导体相比，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 基功率半导体具有更快的功率转换效率和卓越的耐用性。

东部高科成立于 1997 年，也称为DB HiTek。为全球无晶圆厂客户设计的微控制器单元（MCU）、显示驱动芯片（DDI）和图像传感器（CIS）等半导体。特别是主要生产Si DDI、MCU、CIS。

今年5月份左右，该公司成功分拆芯片设计部门，成为纯晶圆代工厂。DB全球芯片计划将无厂业务从液晶显示器（LCD）DDI扩展到有机发光二极管（OLED）和Mini LED DDI，总部位于京畿道城南板桥。DB HITECH将成为纯半导体委托生产（代工）企业。