英国计划构建独立5G供应链 自主生产射频GaN器件

随着技术的不断进步，终端设备对半导体器件的性能、效率和尺寸的要求越来越高。尤其是随着5G即将到来，这进一步推动了以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料的快速发展。

近日，化合物半导体应用 (CSA) Catapult披露消息，英国想要通过一个名为ORanGaN项目，来构建一个全新的主权供应链，专注于研发5G通信的英国射频（RF）氮化镓（GaN）产品和设备。

目前，英国还不完全具备开发和制造应用于5G且商用的RF-GaN器件的能力。

ORanGaN项目的建立正是为了补强这一短板，该项目正在开发新的制造工艺和封装解决方案，以打造基于GaN技术的单片微波集成电路芯片 (MMIC) 等5G通信组件。

据介绍，ORanGaN项目得到了英国科学、创新和技术部 (DSIT) 支持，并有INEX Microtechnology与Custom Interconnect Ltd、Viper RF 和化合物半导体应用 (CSA) Catapult等机构参其中。

该项目期间开发的制造工艺将侧重于MMIC (Viper RF)的设计和开发、芯片制造(INEX Microtechnology)、技术测试和表征 (CSA Catapult) 以及芯片的电子和封装等方面。

ORanGaN项目不仅将为英国制造商提供更加稳固的保障，也将给硬件制造商提供更多出口机会，并将增强英国境内的5G基础设施和网络韧性，帮助英国经济增长。项目预计在2024年2月结束，届时英国在RF-GaN制造领域的出口能力有望迈上新的台阶。