EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。

EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。

凭借超低导通电阻，EPC2361可在电源转换系统中实现更高的功率密度和更高的效率，从而降低能耗和散热。它为多种应用诸如高功率 PSU AC/DC同步整流、数据中心的高频 DC/DC转换、电动汽车、机器人、无人机和太阳能MPPT的电机驱动器，带来突破性的性能。

宜普电源转换公司的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说：“EPC的新型1 mΩ GaN FET突破了氮化镓技术的极限，助力客户创建更高效、更小和更可靠的电力电子系统。”

EPC90156 开发板是一款采用半桥EPC2361 GaN FET，专为100 V最大器件电压和xx A最大输出电流而设计，旨在简化功率系统设计人员对氮化镓器件的评估过程，以加快产品的上市时间。该板的尺寸为2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)，专为实现最佳开关性能而设计，而且包含所有关键组件以便于评估。