三星电子预计本月晚些时候量产第9代V-NAND闪存

据报道，三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。另外，业内消息人士表示，随着对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出430层NAND芯片。

三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 NAND 闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的堆叠层数。

三星于 2022 年 11 月量产了 236 层第 8 代 V-NAND，这意味着两代之间的间隔为一年半左右。

报道称第 9 代 V-NAND 闪存的堆叠层数将是 290 层，此前，三星在学术会议上展示了 280 层堆叠的 QLC 闪存，该闪存 IO 接口速率达到 3.2GB/s。

三星在第 9 代 V-NAND 上将沿用双闪存堆栈的结构，以实现更简单的工序和更低的制造成本。而在预计明年推出的第 10 代 V-NAND 闪存上，三星将换用三堆栈结构。

新的结构将进一步提升 3D 闪存的最大可能堆叠层数，不过也会在堆栈对齐方面引入更多的复杂性，SK 海力士明年量产的 321 层 NAND 闪存就将使用这一结构。