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铠侠将在2031年推出1000层3D NAND闪存并重组SCM业务

发布时间:2024-04-07 15:36:00 阅读量:591

近日,铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存,并对存储级内存(SCM)业务进行了重组。

铠侠与西部数据携手开发 NAND 闪存技术,目前这对合作伙伴最先进的产品是 218 层堆叠的 BICS8 3D 闪存。BICS8 闪存可实现 3200MT/s的 I / O 速率。

另一家主要 NAND 企业三星在 2022 年的技术日上提出了类似的观点,当时三星预测到 2030 年实现 1000+ 层堆叠的 3D NAND 闪存。

铠侠将在2031年推出1000层3D NAND闪存并重组SCM业务

提升堆叠层数是提升单颗 3D NAND 闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中,在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大。

除高难度和低良率外,高深宽比蚀刻也是一项耗时耗财的工艺:目前每次这种蚀刻约需要 1 小时,NAND 原厂若想提升产能,则必须购进更多的蚀刻机台。

因此铠侠在 BICS8 中使用了双堆栈工艺,分开实现两个 NAND 堆栈的垂直通道蚀刻。

此举虽然额外增添了在双堆栈间通道的麻烦,但整体而言还是降低了难度。未来千层堆叠 NAND 闪存有望包含更多个 NAND 堆栈。

此外宫岛英史还表示,相较于同时运营 NAND 和 DRAM 的竞争对手,铠侠在业务丰富程度上面处于竞争劣势,因此有必要培育存储级内存(SCM)等新型存储产品业务。

这位 CTO 称,在 AI 热潮下,DRAM 同 NAND 之间的性能差距正在拉大,而 SCM 可填补这一空白。

铠侠于 4 月 1 日将此前的“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”。其 SCM 研究将集中在 MRAM、FeRAM、ReRAM 等新型内存上,有望于 2~3 年内出货。

标签: 铠侠 NAND闪存

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