三星电子推进eMRAM内存制程升级 8nm版本基本完成开发

三星电子代表在韩国“AI-PIM 研讨会”上表示，正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级，目前8nm eMRAM的技术开发已基本完成。作为一种新型内存，MRAM基于磁性原理，具有非易失性，不需要同DRAM内存一样不断刷新数据，更为节能高效；同时MRAM的写入速度又是NAND的1000倍，支持对写入速率要求更高的应用。

▲ eMRAM 存储原理

eMRAM 即面向嵌入式领域的 MRAM。三星电子目前具有 28nm eMRAM 的生产能力，已在向智能手表等终端产品供货。

据悉，三星电子当时表示计划在 2024 年量产 14nm eMRAM；2026 年量产 8nm 的 eMRAM；到 2027 年将更进一步，实现 5nm 制程 eMRAM 量产。

目前三星电子已完成 14nm eMRAM 的开发，8nm eMRAM 开发也基本完成，仍计划 2027 年推出 5nm eMRAM。

三星电子认为未来车用领域对 eMRAM 的需求将持续增长，其产品目前耐温能力已达 150~160℃，足以满足汽车行业对半导体的严苛要求。