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三星电子实施“双轨化”改造 加强HBM内存竞争力

发布时间:2024-05-10 15:11:00 阅读量:423

根据韩媒 The Elec 的报道,三星电子内部已经对其HBM内存开发部门进行了“双轨化”改革,旨在提升其在HBM业务领域的竞争力。

具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的后续研发工作,而三月成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存,即HBM4。

新设立的 HBM 专门开发团队由三星电子 DRAM 开发副总裁 Hwang Sang-joon 负责,直接向存储器业务部总裁李禎培汇报工作,同时三星近期已将部分人力转移至该团队。

三星电子实施“双轨化”改造 加强HBM内存竞争力

作为 AI 算力芯片的优秀辅助,HBM 内存早已成为业界前沿热点。而下一代 HBM4 内存将在多个维度引入较大变化,在带来更多可能性的同时研发难度也随之提升:

一方面,HBM4 内存在堆叠上将普及 12 层,首发 16 层,也带来了更大的晶圆翘曲风险;

另一方面,HBM4 内存的基础裸片(Base Die)将走向定制化,产品具体特性要跟随用户需求调整。

此外,根据IT之家近日报道,SK 海力士已将其 HBM4 内存的 12 层堆叠版本的量产时间前移至 2025 年下半年,三星电子目前仍维持 2026 年的预设目标。

三星此番组建 HBM4 独立团队,意在化解内存开发难题,缩短开发周期,从而在 HBM4 节点重振 HBM 内存竞争力,从 SK 海力士手中夺回市场优势。

标签: HBM 三星电子

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