三星电子实施“双轨化”改造 加强HBM内存竞争力

根据韩媒 The Elec 的报道，三星电子内部已经对其HBM内存开发部门进行了“双轨化”改革，旨在提升其在HBM业务领域的竞争力。

具体而言，现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的后续研发工作，而三月成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存，即HBM4。

新设立的 HBM 专门开发团队由三星电子 DRAM 开发副总裁 Hwang Sang-joon 负责，直接向存储器业务部总裁李禎培汇报工作，同时三星近期已将部分人力转移至该团队。

作为 AI 算力芯片的优秀辅助，HBM 内存早已成为业界前沿热点。而下一代 HBM4 内存将在多个维度引入较大变化，在带来更多可能性的同时研发难度也随之提升：

一方面，HBM4 内存在堆叠上将普及 12 层，首发 16 层，也带来了更大的晶圆翘曲风险；

另一方面，HBM4 内存的基础裸片（Base Die）将走向定制化，产品具体特性要跟随用户需求调整。

此外，根据IT之家近日报道，SK 海力士已将其 HBM4 内存的 12 层堆叠版本的量产时间前移至 2025 年下半年，三星电子目前仍维持 2026 年的预设目标。

三星此番组建 HBM4 独立团队，意在化解内存开发难题，缩短开发周期，从而在 HBM4 节点重振 HBM 内存竞争力，从 SK 海力士手中夺回市场优势。