联电新动向,拟计划投资逾229亿在新加坡建新12英寸晶圆厂

近日有市场消息称，联电计划投资约229亿元人民币在新加坡建设第二座12英寸晶圆厂，月产能至少2万~3万片，可能生产40nm以下制程的芯片。

对于市场传言，联电表示，新加坡本来就有设厂，在全球有据点的地方持续评估建厂规划，目前还没有确切地点。

据了解，联电新加坡厂Fab12i位于白沙晶圆科技园区，于2004年开始量产，月产能为5万片，制程为0.13微米至40nm，产品涵盖FPGA、无线通讯芯片等。

市场人士认为，新加坡政府过去一年来，已宣布规模数十亿美元的半导体相关投资计划，祭相关补贴政策，力邀半导体大厂前往当地设厂，若制程越先进、或与第三代半导体相关的投资，就能获得更多补贴优惠。

联电当年首度进军新加坡设厂时，即获得十年免税优惠；由于目前新加坡当地最先进制程为40纳米，预测联电此次可能采40纳米以下、如28纳米制程生产，而在当地再盖一座12吋新厂，也能提升技术与资源等营运综效。

据悉，晶圆代工产能持续供不应求，联电5月1日、7月1日代工报价已涨过两波。由于产能不足，联电计划扩充在台南科学园区 Fab 12A P6厂区产能，将采用28nm制程，月产能2.75万片，客户将以议定价格预先支付订金，预计新产能将于2023年第2季度开出。