紧盯台积电 三星计划2025年量产基于GAA的2纳米芯片

发布时间:2022-06-22 15:30:00 阅读量:326

基于3纳米的全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称GAA)工艺有望成为半导体行业的游戏规则改变者。三星电子计划在未来三年内通过建立3纳米GAA工艺,赶上全球第一大代工公司台积电。

GAA是一种下一代工艺技术,它改进了半导体晶体管的结构,使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面,而不是当前FinFET工艺中的三个侧面。GAA结构可以比FinFET工艺更精确地控制电流。根据相关数据,2021年第4季度,台积电占全球代工市场的52.1%,远超三星电子的18.3%。

紧盯台积电 三星计划2025年量产基于GAA的2纳米芯片

三星电子押注将GAA技术应用到3纳米制程以赶上台积电。据报道,这家韩国半导体巨头在6月初将晶圆置于3纳米GAA工艺中进行试量产,成为世界上第一家使用GAA技术的公司。它正在寻求通过技术飞跃立即缩小与台积电的差距。与5纳米工艺相比,3纳米工艺将半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%,同时芯片面积减少了35%。

继今年上半年将GAA技术应用于其3纳米工艺后,三星计划在2023年将其引入第二代3纳米芯片,并在2025年量产基于GAA的2纳米芯片。台积电的战略是今年下半年进入3nm半导体市场,采用稳定的FinFET工艺,而三星电子则押注GAA技术。

专家表示,如果三星在基于GAA的3纳米工艺中确保稳定的良率,它可以成为代工市场的游戏规则改变者。台积电预计将从2nm芯片开始引入GAA工艺,并在2026年左右发布第一款产品。对于三星电子来说,未来三年将是关键时期。

近日,三星宣布将在未来五年内向半导体等关键行业投资总计450万亿韩元。然而,在推进3纳米过程中存在诸多障碍。与三星一样,台积电在提高3nm工艺良率方面也存在困难。

三星电子也面临着类似的情况。晶圆已投入3纳米工艺中试量产,但由于良率低的问题,该公司一直推迟正式量产公告。现代汽车证券研究主管RohKeun-chang表示:“除非三星电子为其7纳米或更先进的工艺获得足够的客户,否则可能会加剧投资者对三星电子未来业绩的焦虑”。

标签: 2纳米芯片 三星 台积电

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