三星公布芯片制造技术路线图
发布时间:2024-06-13 15:32:49 阅读量:943
据报道,三星电子公司在其位于加州圣何塞的美国芯片总部举办的年度代工论坛上,公布了其芯片制造的技术路线图,意图通过一系列即将推出的技术进步来增强其在人工智能芯片代工市场的竞争力。尽管三星作为全球领先的内存芯片制造商地位稳固,但在晶圆代工领域,它一直面临着来自台积电等竞争对手的强劲挑战。
三星预测,到2028年,其人工智能相关客户名单将扩大五倍,收入将增长九倍。报道指出,三星电子公布了对未来人工智能相关芯片的一系列布局。
在其公布的技术路线图中,一项重要的创新是采用了背面供电网络技术。据三星介绍,该技术与传统的第一代2纳米工艺相比,在功率、性能和面积上均有所提升,同时还能显著降低电压降。三星还强调了其在逻辑、内存和先进封装方面的综合能力。三星认为,这将有助于公司赢得更多人工智能相关芯片的外包制造订单。
此外,三星还公布了基于AI设计的GAA处理器((Gate-All-Around,全环绕栅极),其中第二代3纳米的GGA计划在今年下半年量产,并在即将推出的2纳米工艺中提供GAA。该公司还确认其1.4纳米的准备工作进展顺利,目标有望在2027年实现量产。
根据市场研究机构TrendForce集邦咨询最新数据显示,第一季受到智能手机季节淡季影响,加上Android中系智能手机及周边企业同样转以国产替代,先进制程与周边IC动能清淡,Samsung Foundry营收季减7.2%至33.6亿美元,市占维持11%。
值得注意的是,尽管三星在论坛上大力宣传其GAA技术,并计划在今年下半年开始量产第二代3纳米工艺,但对于与Nvidia等关键客户的合作进展,三星高管却保持沉默。这也在一定程度上反映了三星在争取高端客户方面可能仍面临不小的挑战。
标签: 三星
郑重声明:本文版权归原作者所有,转载文章仅为传播更多信息之目的,如作者信息标记有误,请第一时间联系我们修改或删除,感谢您的关注!
相关文章阅读
-
三星否认其HBM内存芯片未通过英伟达测试
2024-05-27
-
三星完成开发首款可穿戴机器人Bot Fit,计划Q3上市
2024-05-27
-
三星投资提升3纳米工艺以争夺英伟达订单
2024-05-23
-
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
2024-05-22
-
消息称三星HBM3E芯片未通过英伟达验证
2024-05-17
-
三星、SK海力士将停供DDR3 或致价格飙涨
2024-05-13
-
官宣!三星3nm移动应用处理器实现首次流片
2024-05-08
-
三星启动其首批第九代 V-NAND 闪存量产
2024-04-25
热门分类
推荐产品
资讯排行榜
关注我们
