三星电子时隔8年再建研发中心 专攻先进NAND闪存

近日，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，计划在本月新设立一个研发中心，负责研发更先进的NAND闪存。据报道，该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND闪存、晶圆代工、系统芯片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元（约合人民币1030亿元）。

最新消息是，三星电子已于8月19日在韩国京畿道器兴园区举行了下一代半导体研发（R&D）园区动工仪式。报道显示，三星电子设立研发更先进NAND闪存的研发中心，同竞争对手已研发出先进产品，NAND闪存研发领域竞争激烈有关。

韩国媒体在报道中就提到，SK海力士已宣布研发出了238层NAND闪存，预计明年上半年大规模量产；美光科技也已完成了232层NAND闪存的研发。未来要想在NAND闪存市场占有优势，势必就需要不断研发更先进的产品。

从研究机构的数据来看，三星电子目前在NAND闪存市场的份额，远高于其他厂商，就今年一季度而言，三星电子的份额高达35.3%，第二大厂商铠侠的份额为18.9%，SK海力士的份额为18%。三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体质量。