SiC逆变器市场将大爆发 英飞凌与高意集团签署多年供应协议

全球碳化硅（SiC）衬底市占率第二的高意集团（II-VI）宣布，已与英飞凌签订SiC（碳化硅）衬底多年供应协议，将为后者供货6英寸SiC衬底，并共同开发8英寸SiC衬底。该协议支持英飞凌的多来源战略，提高了其关键碳化硅材料供应链弹性。第一批晶圆片已经交付。

作为战略合作伙伴，II-VI和英飞凌也将合作向200毫米直径碳化硅晶圆过渡，以实现更高产率和更低成本的碳化硅器件。II-VI目前正在包括中国在内的多地拓展150毫米和200毫米碳化硅衬底产能。

英飞凌表示，其专利CoolSiC系列产品已经是工业用功率半导体领域最具竞争力的组合。除了光伏逆变器和工业电源外，碳化硅的优势对于汽车电子也特别重要。碳化硅功率半导体用于电动汽车电驱系统的主逆变器、车载充电装置和充电基础设施。

目前，英飞凌还与美国的安森美、科锐以及日本昭和电工签署了供应协议。

英飞凌首席采购官AngeliquevanderBurg表示：“碳化硅化合物半导体在功率密度和效率方面制定了新标杆。我们正在基于新标准来实现脱碳和数字化战略，英飞凌正在加大对碳化硅产能的投资，以满足客户快速增长的需求。我们很高兴将II-VI加入我们的战略供应商行列，并共同发展我们的业务。”

II-VI宽带隙电子技术业务部执行副总裁SohailKhan表示：“英飞凌作为功率半导体的市场领导者，是我们的重要合作伙伴，”“我们高度专业化的产品正在帮助英飞凌为全球主要客户提供创新的电子组件。”

英飞凌预计其碳化硅半导体销售额平均每年增长60%以上，到2025年将达到约10亿美元。在2026-2030年，英飞凌预计将继续保持增长势头，为实现这一目标，英飞凌最近还宣布在马来西亚居林投资扩建产能。

碳化硅是一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质，其产业链环节大致分为衬底、外延片、设计、制造及模块。其中，衬底环节的价值量最高，占碳化硅器件成本超过40%。