三星二代3nm工艺将如期量产 功耗直降50%
发布时间:2023-02-03 17:08:29 阅读量:361
近日有消息称三星二代3nm工艺取得新进展,与之前的FinFET工艺相比,具有更好的性能和功耗效率,特别具有设计灵活性的优点。三星电子在去年第四季度经营业绩电话会议上表示:“三星第二代3nm GAA工艺将于2024年如期量产,多数移动芯片、HPC客户都表示关注。与之前的技术FinFET工艺相比,具有性能和功耗效率,特别具有设计灵活性的优点。”
据悉,目前量产是基于3nm GAA技术基础上,三星能够调整纳米晶体管的通道宽度,优化功耗和性能,从而能够满足客户的多元需求。而GAA的设计灵活性对设计技术协同优化(DTCO)非常有利,有助于实现更好的PPA优势。GAE工艺够降低45%的功耗,减少16%的面积,并同时提升23%的性能。
此前三星宣布第二代3nm GAA工艺将会在2024年量产。三星表示,第二代3nm GAA工艺将加入MBCFET架构,使得3nm芯片的面积减少35%、性能提高30%、功耗降低50%。除了三星自己要用之外,3nm工艺还锁定了四大客户,包括IBM、NVIDIA、高通及国内的百度公司,这些公司综合考虑了过去的战略合作伙伴关系、多供应链的必要性等因素,选择三星作为芯片代工企业。
去年6月30日,三星电子宣布3nm芯片量产,成为全球第一家量产3nm芯片的厂商,但是三星第一代3nm GAA工艺良率较低,去年并没有获得多少客户订单。为了提高3nm良率,三星与美企Silicon Frontline Technology公司进行合作,希望通过对方的静电放电预防技术,帮助三星晶圆厂改进前端工艺和芯片性能。
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