三星拟投资2000亿韩元，以8英寸晶圆生产第三代半导体

据报道，三星已支出约2000亿韩元，准备开始生产碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）半导体，用于电源管理IC，而且计划采用8英寸晶圆来生产这类芯片，跳过多数功率半导体业者着手的入门级6英寸晶圆。

一位知情人士表示，“我了解到三星电子决定推动一项计划，将用于SiC和GaN开发的LED工艺中使用的部分8英寸设备混合使用，以提高开发效率。”

SiC和GaN被认为是下一代功率半导体材料。与传统的硅相比，它具有出色的耐高温和高电压耐久性和功率效率。尤其是SiC的耐久性好，以电动汽车为代表的汽车市场对它的需求不断增加。由于开关速度快，GaN被评价为更适合高频环境下的无线通信。

三星2023年初成立功率半导体工作小组，为制造SiC和GaN半导体的第一步。小组除了三星半导体员工，LED团队和三星高级技术学院（SAIT）也有参与。三星规划用8英寸晶圆制造GaN和SiC半导体，直接跳过多数功率半导体商用6英寸晶圆切入阶段。

Micro LED也会用8英寸晶圆生产，代表三星高级技术学院使三星Micro LED生产拥有GaN相关技术。

三星生产8英寸晶圆的SiC和GaN产品引起了广泛关注。目前，SiC产品仍主要使用4/6英寸晶圆生产，而GaN产品则逐渐采用8英寸晶圆生产。三星的发言人表示，他们的SiC半导体业务目前仍处于“研究阶段”，尚未做出任何决定。